令和5年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21

MOSトランジスタ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、金属（Metal）、酸化物（Oxide）、半導体（Semiconductor）の3層構造をもつ半導体素子です。この構造により、ゲート電極に電圧をかけることで電流を制御します。

したがって、適切な説明は「金属と半導体との間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子」となります。

各選択肢の解説

• ア: pn接合における電子と正孔の再結合によって光を放出するという性質を利用した半導体素子
  これは 発光ダイオード（LED） の説明です。
• イ: pn接合部に光が当たると電流が発生するという性質を利用した半導体素子
  これは フォトダイオード（または太陽電池）の説明です。
• ウ: 金属と半導体との間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子
  正解 です。これが MOSトランジスタ の特徴です。
• エ: 逆方向電圧をある電圧以上印加すると，電流だけが増加し電圧がほぼ一定に保たれるという特性をもつ半導体素子
  これは ツェナーダイオード（定電圧ダイオード）の説明です。