令和7年度 秋期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問題 問3
テクノロジハードウェア
この問題は2025(R7)秋 エンベデッドシステムスペシャリスト 午前IIに出題されたものです。出題時点の法令・制度に基づく内容のため、現行の内容と一致しない場合があります。
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FeRAMの説明として，適切なものはどれか。
解答・解説を読む
正解: 選択肢エ
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory：強誘電体メモリ) は、記憶素子に強誘電体材料を用いた不揮発性メモリです。
FeRAMは、代表的な不揮発性メモリであるフラッシュメモリと比較して、以下の特徴を持っています。
- 高速な書込み速度
- 書換え可能回数が多い (耐久性が高い)
- 低消費電力
したがって、これらの特徴を説明しているエが適切です。
各選択肢の解説
- ア: 1ビットのメモリセルが4個〜6個のトランジスタで構成されるのは、SRAMの説明です。フリップフロップ回路を用いてデータを保持します。
- イ: データ保持のために一定時間ごとにリフレッシュ（再書込み）が必要なのは、DRAMの説明です。コンデンサの電荷としてデータを記憶するため、放電によるデータ消失を防ぐ必要があります。
- ウ: バイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換えるのは、フラッシュメモリの説明です。