令和7年度 秋期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問題 問3

FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory：強誘電体メモリ) は、記憶素子に強誘電体材料を用いた不揮発性メモリです。

FeRAMは、代表的な不揮発性メモリであるフラッシュメモリと比較して、以下の特徴を持っています。

• 高速な書込み速度
• 書換え可能回数が多い (耐久性が高い)
• 低消費電力
  したがって、これらの特徴を説明しているエが適切です。

各選択肢の解説

• ア: 1ビットのメモリセルが4個〜6個のトランジスタで構成されるのは、SRAMの説明です。フリップフロップ回路を用いてデータを保持します。
• イ: データ保持のために一定時間ごとにリフレッシュ（再書込み）が必要なのは、DRAMの説明です。コンデンサの電荷としてデータを記憶するため、放電によるデータ消失を防ぐ必要があります。
• ウ: バイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換えるのは、フラッシュメモリの説明です。